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IRFS4510TRLPBF  与  IPB123N10N3 G  区别

型号 IRFS4510TRLPBF IPB123N10N3 G
唯样编号 A-IRFS4510TRLPBF A-IPB123N10N3 G
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 100 V 13.9 mO 58 nC SMT HEXFET Power Mosfet - D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 13.9mΩ@37A,10V 10.7mΩ
上升时间 - 8ns
Qg-栅极电荷 - 35nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
正向跨导 - 最小值 - 29S
封装/外壳 D2PAK -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 61A 58A
配置 - Single
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 6V,10V
下降时间 - 5ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 100µA 3.5V @ 46µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3180pF @ 50V 2500pF @ 50V
高度 - 4.4mm
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 140W(Tc) 94W
典型关闭延迟时间 - 24ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® OptiMOS3
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 100µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3180pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 87nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 14ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 87nC @ 10V 35nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFS4510TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 13.9mΩ@37A,10V N-Channel 100V 61A D2PAK

暂无价格 0 当前型号
STB80NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 5,000 对比
BUK9615-100E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 182W 175°C 1.7V 100V 66A

暂无价格 400 对比
STB80NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
PSMN013-100BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 170W 175°C 3V 100V 68A

暂无价格 0 对比
IPB123N10N3 G Infineon 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 100V 58A 10.7mΩ 20V 94W N-Channel

暂无价格 0 对比

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